双通道密码锁。方案、说明

双通道密码锁

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建议的密码锁有两个独立的输出用于控制执行器。它们中的每一个都由其“自己的”八位代码激活，该代码使用两个按钮进行设置。

密码锁组装在 CMOS 结构的数字微电路上，在待机模式下功耗低，因此可以由电池等自主电源供电。当您在拨打代码时按下任何按钮，设备将切换到活动模式。代码是 XNUMX 和 XNUMX 的组合。此外，一个按钮用于设置单位，而另一个 - 零。在待机模式下，两个输出均为逻辑低电平。要获得所需输出的高电平，这将打开执行器，您必须拨打其代码并同时按下两个按钮。只要按住按钮，此输出就会为逻辑高。释放按钮后，输出再次变低。

为了在拨码时通知错误，提供了一个低功耗的内置声音信号装置 - 这是第一级信号。同时按下两个按钮后，密码输入错误时会亮起。之后，您有 15 秒的时间重试拨打该代码。如果在此时间间隔后没有拨出正确的代码，设备将发出信号以打开外部安全警报并打开自锁模式十分钟 - 这是第二级警报。在那之后，编码变得不可能。

双通道密码锁
图。 1

让我们首先考虑基本版本的锁的操作，它只有一个出口，其示意图如图所示。 1. 拨码在移位寄存器DD3.1、DD3.2的输出端产生。在这些寄存器的输入 C 处的脉冲边缘，来自输入 D 的信息被写入寄存器的第一位，并且信息向最高有效位移动。代码通过按钮 SB 1 和 SB2 拨出，元件 DD1.2 和 DD1.3 上的单个振动器消除了其触点可能的反弹。对于一组日志。 1按下按钮SB2，同时元件DD1.3的输出端形成低电平，晶体管VT3打开，电容C6充电，寄存器DD3.1的输入端D出现高逻辑电平. SA2 按钮松开后，DD1.3 元件将切换到其原始状态，高电平将进入寄存器 DD3.1、DD3.2 的输入 C 和 log 3.1 将写入第一个位寄存器 DD5（引脚 1），因为电容器 Sat 没有时间通过电阻器 R13 放电至低电压。

为下一组日志。 0，您必须按下按钮SB1，而元件DD1.2的输出将出现低电平。晶体管VT3闭合，电容C6放电，所以寄存器DD3.1的输入端D为低电平。释放按钮 SB1 后登录。 0 将被写入 DD3.1 寄存器（引脚 5）的第一位，以及之前的日志。 1 将移动到第二个数字（引脚 4）。以此类推，直到代码的所有八位数字都被写入，而拨出的第一个数字将在寄存器 DD4 的输出 3.2 处，最后一个在寄存器 DD1 的输出端 3.1 处。对于根据图 1 方案的设备。 10001101 代码 10 被设置，只有在 VD17-VD6 二极管的阴极连接点设置后才会出现低电平，将进入 DD2.2 元件的输入之一（引脚 5）。但是该元件无法切换，因为在其第二个输入端（引脚 3）有一个高电平通过二极管 VD5、VD1.2 从元件 DD1.3 和 DD2.2 的输出端传出。只有当两个按钮同时按下时，高电平才会变为低电平，DD4元件才会切换——锁定输出端会出现高电平信号，VT1晶体管会打开，HLXNUMX LED会亮起。只要按下两个按钮，寄存器输出的锁定代码就不会改变。松开按钮后，信息会发生变化，密码会自动变为错误，因此无需特殊按钮来重置拨打的密码。

从图中可以看出日志。大约在寄存器输出处的代码对应于二极管和对数。 1 - 逆变器，然后是二极管。因此，可以通过将二极管或带有二极管的反相器连接到寄存器的输出来设置任何所需的代码。

由于在待机模式下，元件 DD1.2、DD1.3 以及二极管 VD10-VD17 的输出端为高电平，以防止电流流过电阻器 R7、R8，因此介绍了元件DD2.1、C2、R3和晶体管VT2。待机时晶体管VT2闭合，电容C2放电，所以元件DD2.1的输入为低电平，输出为高电平，电流不流过电阻R7和R8。当您按下任何按钮时，晶体管 VT2 打开，电容器 C2 充电至电源电压，并且在元件 DD2.1 的输出端设置为低电平。这就是开关元件 DD2.2 的准备工作。按钮按下停止后，电容器 C2 将开始通过电阻器 R3 放电，一段时间后 DD2.1 元件将切换 - 其输出将设置为高电平，设备将进入待机模式。

如果输入了错误的代码并按下了两个按钮，则 DD2 元件的一个输入（引脚 1.1）将变为低电平，因为 DD2.2 元件不会切换。DD1 的第二个输入（引脚 1.1） element 也会很低，所以它的输出很低。晶体管 VT1 将打开，随后 VT5 将打开，电源电压将提供给带有内置发生器的声发射器 HA1。声音信号通知密码输入错误。同时，电容C7通过二极管VD8充电，电容C18通过电阻R9充电。 15秒后，电容C9两端的电压达到元件DD2.4的开关阈值，“报警”输出的高逻辑电平变为低电平——HL2 LED点亮，外部防盗报警器开始工作，由低逻辑电平激活。来自电容器 C9 的高电平将进入寄存器 DD3.1 的输入 R，直到电容器 C8 和 C9 通过电阻器 R17 和 R18 放电，代码集才变得不可能。使用图中所示的评级，这将需要大约十分钟。如果密码输入正确，晶体管 VT1 保持闭合，外部报警器不会开启。引入电容器 C1、C3 是为了防止电源电路中的干扰，如果可能，它们应位于更靠近微电路的电源输出端。

双通道密码锁
图。 2

通过对电路进行小的改动，可以独立控制两个输出。这些变化如图所示。 2、逻辑元素2OR-NOT DD2.2（见图1）被两个元素ZIL-NOT DD5.1和DD5.2（图2）代替。 VD10二极管的阴极不接VD11-VD17二极管的阴极，而是接DD2元件的输入（5.1脚），DD1的输出5（3.1脚）。 18 元件通过 VD5.2 二极管连接到 DD10001101 元件的输入。现在可以使用之前的代码1来控制锁的“输出10001100”，代码2-“输出XNUMX”，否则设备的操作保持不变。

双通道密码锁
图。 3

两个输出的存在显着扩展了设备的功能。在它们的帮助下，您可以控制两个独立的机构，例如电磁铁或电动机来打开门锁，或反转一个机构。最后，两个出口可以从根本上使代码复杂化，从而增加其保密性。使用 3 位代码和一个输出来优化电路的选项如图 6 所示。 4.3、开锁算法如下：拨密码前半部分（八位），同时按下两个按键（VT4.3三极管打开，对电容SU充电，高电平进入第一个输入端） DD4.4 元素），拨第二部分代码，同时按下两个按钮。高逻辑电平将进入 DD10 元件的第二个输入，它会切换，并且高电平也将出现在 DD23 元件的输出上。一段时间后（约 XNUMX s），电容 SU 会通过电阻 RXNUMX 放电，器件会恢复到原来的状态。通过适当简化电路，可以将代码各部分的位数减少到所需的位数。

关于按钮的可能位置的几句话。由于只有两个，所以在输入代码时不需要视觉控制，这样您就可以将它们放置在“秘密”的地方，例如，在汽车的驾驶座下，桌面下，在壁龛等

该设备使用有线接线组装在面包板上。电源由电压为 9 V - 6F22 的电池或车辆的车载网络供电。使用电阻器MLT、S2-23，电阻器R17由两个2MΩ串联组成，每个串联氧化电容-进口或K50-35。其余的-KYU-17。晶体管 KTZYu2B 和 KT3107B 可分别与具有任何字母索引的 KT315 和 KT361 系列晶体管、二极管 KD521A - 与 KD103B 互换。 KD522B，一种带有内置发生器的声发射器，您可以使用任何工作电压为 12 V 的发射器。 LED HL1 - 任何绿色发光。 HL2 - 红色，最好增加亮度。

建立归结为随意设置阻止和延迟激活外部警报的时间间隔。您只需要记住，它们是相互连接的，电阻器 R18 的电阻应该比电阻器 R17 的电阻小十倍左右，电容器 C9 的电容比电容器 C8 的电容小十倍. 选择这些电阻器和电容器可以在很宽的范围内改变指定的时间间隔。

作者：V. Strukov，沃罗涅日；出版：radioradar.net

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“这是同类中第一个磁性‘隐形传感器’，”Rosa Mach-Batlle 说。

磁场传感器的基本质量是在铁磁材料的基础上制成的，铁磁材料充当被拾取信号的放大器。然而，这枚硬币的另一面是铁磁材料扭曲了磁场的形状和强度。早期的尝试是通过将这种传感器的铁磁有源元件包裹在一种磁性“隐形斗篷”中来制造一种“隐形”磁传感器。然而，这种方法将传感器与磁场完全隔离，使其无法进行测量。

新型隐形传感器的基础是球形磁壳，其形状可以补偿和隔离由位于内部的传感器敏感元件引入的磁场失真。在这个外壳中，会产生大量薄间隙，外部磁场通过这些间隙到达敏感元件，使其能够进行测量。如果测量的磁场是均匀的，并且传感器的内部敏感元件也具有球形形状，则该传感器的“不可见”程度会达到最大。

围绕传感器的球壳必须具有天然材料所不具备的磁性。这些特性是通过一种具有人工复杂结构的材料（即所谓的超材料）制成的，这种材料基于高温超导材料。

在他们的进一步研究中，科学家们计划使用这种解决方案来制造一种高效的磁性隐形斗篷。反过来，这可用于制造必须在强交变磁场存在下运行的设备，或者可以使磁场具有给定复杂形状的设备。

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