UMZCH 软启动装置。方案、说明

UMZCH软启动装置。无线电电子电气工程百科全书

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扩音设备的设计者几乎总是面临着在电源电压打开时保护 UMZCH 及其电源免受脉冲过载的问题。此类设备的描述已多次发表在该杂志的页面上。然而，其中一些仅保护 UMZCH 本身，而使电源不受保护，而另一些则提供的电源电压不是平滑的，而是逐步增加的。这些缺点在提供给读者注意的设备中并不存在，该设备实现了UMZCH的“软”包含。它没有开关继电器，这使得可以提高保护单元的可靠性并减小其尺寸。

UMZCH“软”开机装置示意图如图所示。晶体管VT1通过二极管电桥VD1-VD4与电源变压器T1的初级绕组串联。选择绝缘栅MOSFET是因为其控制电路输入电阻较高，可以降低功耗。

UMZCH软启动装置

控制单元由在晶体管VT1的栅极形成电压的电路和晶体管VT2、VT3上的电子钥匙组成。第一电路由元件VD5、C1、R1-R3、VD7、C4形成，在晶体管VT1的栅极设置初始电压。第二个包括元件 VD8、R4、R5、C2、C3，它们提供晶体管 VT1 栅极电压的平滑增加。齐纳二极管VD6限制晶体管VT1的栅极电压并防止其击穿。

在初始状态下，控制单元电路的电容处于放电状态，因此，在市电开关SB1的触头闭合的瞬间，晶体管VT1的栅极相对于源极的电压为零，不存在任何电压。源漏电路中的电流。这意味着变压器T1初级绕组中的电流及其两端的电压降也为零。随着市电电压第一个正半周期的到来，电容器C1开始通过电路VD5、VD3充电，并在此半周期内充电至市电电压的峰值。

齐纳二极管 VD7 稳定分压器 R2R3 上的电压。调谐电阻R3下臂上的电压根据电路决定了晶体管VT1的初始栅源电压，该电压设置为接近阈值2…4V。经过几个周期的市电电压，流过电容器C2的电流脉冲将其充电到超过晶体管VT3的截止电压的电压。

电子钥匙晶体管VT2、VT3截止，电容器C3开始通过电路VD8、R4、R5、R3、VD3充电。此时晶体管VT1的栅源电压由电阻R3下臂上的电压与电容器C3两端逐渐增大的电压之和确定。随着该电压增加，晶体管VT1打开并且其源极-漏极沟道的电阻变得最小。相应地，变压器T1的初级绕组上的电压逐渐增加到接近市电电压的值。晶体管VT1的栅源电压的进一步增加受到齐纳二极管VD6的限制。在稳定状态下，VD1-VD4 桥式二极管和 VT1 晶体管两端的压降不超过 2 ... 3 W，因此这实际上不会影响 UMZCH 电源的进一步运行。晶体管VT1最恶劣工作模式的持续时间不超过2…4秒，因此其消耗的功率很小。电容C4消除晶体管VT1栅源结处的电压纹波。由电阻器 R3 下臂上电容器 C3 的充电电流脉冲产生。

UMZCH电源关闭后或短时断电时，晶体管VT2、VT3上的电子钥匙快速对电容器C3进行放电，为控制单元重新启用做好准备。

在笔者的保护装置版本中，采用了格罗里亚公司生产的进口电容器（C1），以及国产的：K53-1（C2、C4）和K52-1（C3）。所有固定电阻-MLT，调谐电阻R3-SP5-3。例如，晶体管 KP707V (VT1) 可以替换为另一个晶体管。 KP809D。重要的是其开路状态下的沟道电阻要最小，并且源漏极电压限制至少为 350 V。可以使用 KT3102V 和 KT2D 代替 KT3102B (VT3102) 晶体管，并且可以使用 KT103V 和 KT103D 代替KPXNUMXI (VTZ)-KPXNUMXZh。

晶体管VT1配有一个面积为10...50 cm2的小型散热片。

设置该器件包括选择微调电阻器 R3 的最佳位置。最初，它设置为较低（根据图表）位置，并通过高电阻分压器连接到变压器的初级绕组

T1 示波器。然后闭合开关SB1的触点，通过移动电阻R3的滑块，观察变压器初级绕组上的电压幅值增大的过程。发动机处于打开 SB1 和 T1 绕组上的电压幅度开始增加之间的时间间隔最小的位置。如有必要，选择电容器C3的容量。

该器件采用 UMZCH 布局进行了测试，其结构与 A. Orlov 的文章“具有单级电压放大的 UMZCH”中描述的放大器类似（参见“Radio”，1997 年，第 12 期，第 14 - 16 页）。电源开启时UMZCH输出端的电压浪涌不超过1,5V

作者：M.Sirazetdinov，乌法

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