KP504 系列的场效应晶体管。参考数据

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采用平面外延技术制造具有绝缘栅极和沟道富集的中等功率场效应n沟道硅晶体管KP504A-KP504E。该器件配备有连接在源极和漏极之间的内置保护性反向偏置二极管。

晶体管设计用于无变压器输入的二次电源、具有连续和脉冲控制的调节器、稳定器和电压转换器、低功率电动机和其他家用和工业设备的驱动单元。

这些器件封装在塑料外壳 KT-26 (TO-92) 中，并带有刚性冲压镀锡引线（图 1）。国外模拟晶体管KP504A -BSS88。

KP504 系列场效应晶体管

Tacr.av = 25±10°C 时的主要特性

漏极电流为 1 mA、栅极连接源极时的阈值电压 V。。 .0,6...2
KP300A-KP50V、KP0,25D 开沟道电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间不超过 4,5 μs，占空比至少 504，漏极电流为 504 A，栅源电压为 504 V ,KP504E... ...8
KP504G......10
KP300A-KP50V、KP14D 的开路电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间不超过 1,8 μs，占空比至少 504，漏极电流为 504 mA，栅源电压为 504 V 、KP504E.....15
KP504G......18
在最大允许漏极-源极电压和零栅极-源极电压下，剩余漏极电流，μA，不再...... 1
栅极漏电流，μA，不再，漏极-源极电压为零且栅极-源极电压±20 V ......±0,1
电流-电压特性斜率，A/V，不小于，脉冲持续时间不超过300μs，占空比至少50，漏极-源极电压为5V，漏极电流为0,25一个....... 0,14, XNUMX
保护二极管的恒定正向电压 V 不大于，脉冲持续时间不超过 300 μs，占空比至少为 50，栅源电压为零，通过二极管的电流为 0,5 A，持续时间
KP504A、KP504V-KP504D......1,3
KP504B、KP504E......1,8

晶体环境热阻，°С/W，最大值，适用于

KP504A、KP504B......125
KP504V-KP504E......177
晶体管的电容*，pF，无更多，在零栅源电压、漏源电压 25 V 和频率 1 MHz 输入时...... 140
周末...... 30
检查点......9

* 参考参数。

限值

KP504A、KP504B、KP504D、KP504E 的最高漏源电压 V ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
最大栅源电压，V ...... ± 10
最大直流电流* 漏极，mA，对于
KP504A、KP504B......250
KP504V、KP504D、KP504E......200
KP504G......180
最高冲击电流*漏极，A ...... 1
环境温度不超过25℃时的最高恒定耗散功率**，W，对于KP504A、KP504B……1
KP504V-KP504E......0,7
晶体的最高温度，°С ...... 150
工作环境温度范围，°С......-55...+125

* 前提是不超过晶体的功耗和温度限制值

** 在环境温度 Tacr.avg 从 +25 至 +125 °C 的范围内，最大耗散功率 Рmax 必须根据公式 Рmax = (Тcr max - Tacr.avg)/RT.cr-avg 降低，其中 Тcr max是晶体的最高温度； RT.cr-sr - 晶体环境的热阻。

静态电位的允许值 - 30 V，符合 OST 11 073.062。在设备中安装晶体管的操作模式和条件 - 根据 OST 11 336.907.0。

KP504 系列晶体管参数最重要的图形典型依赖性如下所示。上图。图2中，a和b表示环境温度两个值下的输出特性， 3 - 漏极电流对栅源电压的依赖性。上图。图 4 显示了器件开放沟道电阻对温度的归一化依赖性（RK 是沟道当前电阻与晶体温度 +25 °C 时的电阻之比）。
米。图5示出了阈值电压的温度变化。 6——最大允许恒定功耗。当漏极-源极电压变化时，晶体管的输入、输出和吞吐量电容值如何变化的想法如图 7 所示。 8. 电流-电压特性斜率和开沟道电阻对漏极电流的依赖性如图 9 所示。分别为10和XNUMX。内置保护二极管的功率能力如图 XNUMX 所示。 XNUMX.

（点击放大）

作者：V.Kiselev，明斯克，白俄罗斯

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左背外侧前额叶皮层在语言记忆的形成中起着重要作用：如果这个区域在记忆单词、任何文本或其中的一段时受到刺激，那么稍后，当试图重现所记忆的记忆时，记忆力就会下降会被发现。此外，这种性能下降主要在使用振荡频率为 20 赫兹的兴奋性经颅磁刺激 (TMS) 时观察到。因此，似乎左背外侧前额叶皮层的活动可能与记忆表现成反比关系。

因此，可以推测通过抑制左背外侧前额叶皮层的活动，可以提高记忆能力。缓慢（频率为 XNUMX 赫兹）重复 TMS 的应用对运动区域具有抑制作用这一事实表明了一种影响方法。

在研究的第一个实验中，40 名健康参与者和第二个 - 24 名参与者查看了两个每个系列 10 个单词的列表，总共有 12 个这样的系列。参与者面临的任务要么记住两个列表，要么只有一个。同时，在每个实验中，在记住第二个列表的同时，一半的参与者接受了左侧背外侧前额叶皮层频率为 XNUMX 赫兹的重复 TMS，另一半成为对照组，在头顶区域，因为根据以前的研究，这些区域的刺激影响相对较小。对大多数实验任务中涉及的当前大脑过程的影响。

结果表明，通过自由回忆，与对照组相比，实验组的参与者记住了更多的单词，但只记住了那些列表中的单词，在记忆过程中，他们接受了背外侧前额叶皮层的刺激。第一个实验同时记录的脑电图数据显示，XNUMX 赫兹 TMS 与随后的 β 波减少有关，这是一种已知有利于记忆形成的条件。这种减少在顶叶和枕骨区域被注意到，它们参与信息感知的过程，这对记忆至关重要，因为不可能正确地记住什么被错误地感知或根本没有被感知。

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