KT6113 系列晶体管。参考数据

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硅中功率 n-p-n 晶体管 KT6113A-KT6113E 设计用于 RF 放大器的输入级和中间级、频率转换器以及广泛使用的电子设备的其他组件和模块中的操作。

晶体管采用平面外延技术制造。它们设计在塑料外壳 KT-26 中（根据欧洲分类 TO-92）。外壳图如图所示。 1. 设备的质量 - 不超过 0,3 克。

KT6113系列晶体管

晶体管KT6113A、KT6113E的国外类似物分别为SS9018D、SS9018I。

Tacr 时的主要电气特性 avg = 25°С

集电极-发射极边界电压，V，不小于，集电极电流为10mA，基极电流为零，脉冲持续时间不超过300μs，占空比为100或以上......15
集电极-基极电压为 12 V、发射极电流为零时，反向集电极电流，mA，不再......50
反向发射极电流，μA，不再，基极-发射极电压为 5 V，集电极电流为零......10
KT5A......1...6113 集电极-基极电压为 28 V、发射极电流为 45 mA 时的静态基极电流传输系数
KT6113B......39...60
KT6113V......54...80
KT6113G......72...108
KT611ZD......97...146
KT6113E......32...198
集电极-发射极饱和电压，V，不大于，集电极电流为10mA，基极电流为1mA......0,5
集电极-发射极电压为 5 V、集电极电流为 5 mA 时电流传输系数的截止频率，MHz 不小于......700
集电极结电容，pF，不再，集电极-基极电压为 10 V，发射极电流为零，频率为 1 MHz ...... 1,7
热阻转变 - 环境，°C / W，仅此而已...... 312,5

限值

最高集电极-基极电压，V ...... 30
最高集电极-发射极电压，...... 15
最高发射极-基极电压，V ...... 5
最高直流集电极电流，mA......50
集电极恒定功耗，mW.....400
最高转变温度，°С......150
环境工作温度限制，°С ..... -45...+85

不允许在两个（或更多）参数具有最大允许值的模式下使用晶体管。同时，不建议在整个温度范围内以与不受控反向电流相当的工作电流来操作晶体管。

器件安装时，引线一次弯曲距本体不小于2mm，曲率半径至少1,5mm；在这种情况下，有必要采取措施排除力向身体转移。外壳到焊接或镀锡处的距离不应小于3毫米。如果要将设备连接到带电电路，应先连接底座端子，最后断开。

KT6113 系列晶体管参数的图形依赖性如图 2 所示。 2b. 按照共发射极电路连接的器件的输出电流-电压特性如图XNUMX所示。 XNUMX.

KT6113系列晶体管

静态电流传输系数对集电极电流和静态系数截止频率的典型依赖性如图 3 所示。图4和图5示出了集电极-发射极和基极-发射极饱和电压。 6. 集电极结电容对集电极-基极直流电压的典型依赖性如图 XNUMX 所示。 XNUMX.

KT6113系列晶体管

作者：V.Kisilev，明斯克，白俄罗斯

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