KT133 系列的单结晶体管。参考数据

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带 n 基极的硅单结晶体管 KT133A 和 KT133B 设计用于延时单元、电压转换器、电振荡发生器、晶闸管控制装置以及其他需要具有继电器特性的元件。

这些器件采用外延平面技术制造。它们装在塑料盒 KT-26 中（图 1），设备的质量不超过 0,3 秒。晶体管KT133A、KT133B的国外类似物分别为2N4870、2N4871。

KT133系列单结晶体管

Tacr 时的主要电气特性 avg = 25°С

发射结漏电流，μA，不再，反向电压发射极-基极2 30 V，零电流基极1......1
谷值电流 (mA) 不小于，基极 1-基极 2 电压为 20 V，发射极电路中的电阻为 100 欧姆，脉冲持续时间为 6 µs 或更短，占空比为 50
KT133A......2
KT133B......4
KT1A 电压基2-基10 133 V 时的传输系数 ...... 0,56 ... 0,75
KT133B......0,75...0,85
最高产生频率，Hz......220
开启电流*，μA，不再，电压基1-基2 25 V......5
调制电流*，mA，基极1-基极2电压为10 V，发射极电流为50 mA......15...65
残余电压*，V，基极1-基极2电压3 V和发射极电流50 mA......0,7...2,5
基极间电阻*，kOhm，基极 1-基极 2 电压为 3 V 且发射极电流为零时.....4...9,1
基极间电阻温度系数*，%/°С，不多于，基极 1-基极 2 电压 3 V，发射极电流为零，环境温度在 -60...+125°С .0,1...0,9 范围内
对于 KT1A，脉冲基极电压 1*，V，不超过，电路 baey20 中的电阻电阻为 2 Ohm，base100 - 10 Ohm，发射极 - 0,2 kOhm，发射极电路中的电容器电容为 1 μF，KT2A 的电压 base20-base133 3 V .. ....XNUMX
KT133B............5
热阻过渡-环境，°С/W，没有更多......333

* 参考参数。

限值

最高电压base1-base2（基间电压），V……35
发射极-基极2最大反向电压，V......30
开路晶体管发射极的最高直流电流，mA......50
最高脉冲发射极电流 A. 脉冲持续时间不超过 10 μs，占空比至少 100 ...... 1,5
最高恒定功耗，mW......300
最高转变温度，°С ...... 135
环境工作温度限制，°С..... -60...+125

单结晶体管的输入电流-电压特性如图2所示。 XNUMX、器件的导通电流Ion通常称为从闭合状态转变到开路状态时发射极电流的值。谷值电流Id为电压最小、微分电阻为零的CVC点对应的发射极电流值。

发射结的漏电流 Iebo 是通过发射结的电流，相对于基极 2 反向偏置。基极间电阻 RB1B2 - 在给定基极间电压下晶体管基极之间的电阻。传输系数r]是最大可能的发射极电压减去p-n结处的电压降与所施加的基极间电压的比率。

剩余电压 UBEnas - 在给定发射极电流和基极间电压下发射极上的直流电压。最大允许基极间电压UB1B2max是保证规定可靠性的基极间任何形式和频率的最大电压值。

发射极-基极2最大允许反向电压 UEB2——发射结相对于基极2的反向电压最大值。调制电流 Imod - 对于给定的基极间电压和发射极电流，基极 2 电路中的最小电流。

由于 KT133 系列晶体管采用与 KT6113 系列相同的封装（见上文），因此它们的安装特性相同。

KT133系列单结晶体管

晶体管KT133A、KT133B的参数对环境温度的典型依赖关系的主图如图3所示。 5-XNUMX

作者：V.Kiselev，明斯克，白俄罗斯

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