KP727 系列的场效应晶体管。参考数据

KP727 系列的场效应晶体管。参考数据

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采用平面外延技术制造的功能强大的硅场效应晶体管 KP727A 和 KP727B 具有富含 n 沟道的绝缘栅极和内置反向连接保护二极管。它们设计用于二次电源、调节器、稳定器以及具有连续和脉冲控制的电压和电流转换器、电动机驱动单元和其他广泛应用的设备装置。

晶体管安装在塑料外壳 KT-28 (TO-220) 中，配有冲压刚性镀锡引线和带安装孔的散热金属法兰（图 1）。该器件的质量不超过2,5克。晶体管的国外类似物：KP727A - BUZ71，KP727B - IRFZ34。

KP727 系列场效应晶体管

Tacr.av = 25°C 时的主要特性

KP0,25A 的漏极电流为 727 mA 且栅源电压和漏源电压相同时的阈值栅源电压 V......2,1...4
KP727B......2...4
KP300A 在栅源电压 50 V（漏源电压 10V）下，漏极脉冲电流，A 不小于，脉冲持续时间小于 727 μs，占空比大于 2。 . 14
KP727B(1,8V)......30
KP300A 的栅源电压为 50 V（漏极电流 10 A）时，开路晶体管的漏源电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间小于 727 μs，占空比大于 9。 ......0,1
KP727B(18A)......0,05
最大漏源电压和零栅源电压时的剩余漏电流，μA，不再...... 25
栅极漏电流，μA，不再，栅源电压 +20 V 和零漏源电压...... ± 0,1
KP300A 的漏极-源极电压为 50 V（漏极电流 25 A）时，脉冲持续时间小于 727 μs，占空比大于 9，特性曲线斜率 A/V 不小于 4。 ....XNUMX
KP727B(18A)......9,3
KP300A 的栅源电压为零（流过二极管的电流为 50 A）时，开路保护二极管上的恒定正向电压 V 不超过，脉冲持续时间小于 727 μs，占空比大于 28。 ....1,8
KP727B(30A)......1,6
热阻过渡外壳，°C/W max，用于 KP727A......3,1
KP727B......1,7
热阻转变 - 环境，°C / W，仅此而已...... 62
开启时间*，μs，不再，漏极-源极电压为 30 V，漏极电流为 30 A，测量信号源的输出电阻为 9,1 Ohm.....0,14
关断时间*，μs，不再，漏极-源极电压为 30 V，漏极电流为 30 A，测量信号源输出电阻为 9,1 Ohm ...... 0,12
输入电容*，pF，不再，栅源电压为零，漏源电压为 25 V，频率为 1 MHz ...... 1600
输出电容*，pF，不再，栅源电压为零，漏源电压为 25 V，频率为 1 MHz ...... 800
电容*，pF，不再，栅源电压为零，漏源电压为 25 V，频率为 1 MHz ..... 195

* 参考参数。

操作限制

KP727A的最高漏源电压V......50
KP727B......60
最大栅源电压，V ...... ± 20
KP25A 在外壳温度 727°C 时的最高直接漏极电流 A ...... 14
KP727B......30
KP25A 在外壳温度 727°C 时的最高脉冲漏极电流 A ...... 56
KP727B......120
KP25A 外壳温度 727°C 时的最高恒定耗散功率 W......40
KP727B......88
静电位最高值，V.....200**
工作温度范围，°С......-55...+150

** 符合 OST 11073.062 的 III 级刚性。

禁止使用两个或多个参数极限值的晶体管进行操作。为了提高装置的可靠性，参数值不应超过最大允许值的70%。

引线一次弯曲距离本体不得小于 5mm，弯曲半径至少为 1,5mm，且弯曲线必须位于引线平面内。弯曲时，必须采取措施防止力传递到身体上。结论不能被扭曲。

本体到焊接、镀锡处的距离不应小于5mm。焊接温度 - 不高于 265°C，焊接时间 - 不超过 4 秒，镀锡 - 2 秒。

为了降低晶体管外壳散热器的热阻，建议使用特殊的膏体，例如符合 GOST 8 的 KPT-19783。如果绝缘垫片应位于外壳下方，则必须考虑其热阻考虑到。

上图。图2中的a和b显示了正常情况下晶体管的漏极电流对漏极-源极电压的典型依赖性。 3、a和b——来自结温两个值处的栅源电压。

KP727 系列场效应晶体管

上图。图4示出了开路晶体管的漏源电阻的归一化温度依赖性（Rsi.t25是漏源电阻的电流值与结温为25°C时该电阻值的比率），并且在图中。图 5 - 晶体管的输入 (C11i)、输出 (C22i) 和吞吐量 (C12i) 电容对漏源脉冲电压的典型依赖性。

KP727 系列场效应晶体管

米。图6a和XNUMXb示出了晶体管沟道端子处的电压对流过这些端子的电流的依赖性，该电流沿保护二极管的正向流动。该电压的主要成分是开路保护二极管两端的压降。

KP727 系列场效应晶体管

作者：V.Kiselev

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