KP723 系列的场效应晶体管。参考数据

KP723 系列的场效应晶体管。参考数据

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强大的硅场效应 n 沟道晶体管 KP723A-KP723G 具有绝缘栅极、沟道富集和内置保护性反向二极管，采用平面外延技术制造。它们设计用于二次电源、功率调节器、稳定器和具有连续和脉冲控制的电压转换器、个人计算机的不间断电源、电动机驱动装置以及其他广泛应用的单元和设备块。

该器件采用塑料外壳 KT-28（根据国外分类 - TO-220）设计，配有硬冲压镀锡引线；设备重量 - 不超过 2,5 克。

国外功能类似晶体管KP723A - IRFZ44、KP723B - IRFZ45、KP723V - IRFZ40、KP723G - IRLZ44。

KP723和KP727系列晶体管的外壳设计、内部连接电路和引脚排列相似。

Tamb.av 的主要技术特性 = 25 °C

KP0,25A - KP723V 的漏极电流为 723 mA 且连接栅极和漏极时的阈值电压 V ...... 2...4
KP723G......1...2
漏极电流，A，不小于，脉冲持续时间不超过 300 μs，KP50A 和 KP723V 的占空比至少为 723，漏极-源极电压为 1,75 V，栅极-源极电压为 10 V，对于KP723B 漏源电压 2,25 V、栅源电压 10 V，KP723G 漏源电压 1,75 V、栅源电压 5 V ...... 50
开路晶体管的沟道电阻，欧姆，不超过，脉冲持续时间不超过 300 μs，占空比至少为 50，KP31A、KP723V 的漏极电流为 723 A（栅源电压为 10五)……0,028
KP723B(10V)......0,035
KP723G (5V) ...... 0,028
最大允许漏源电压和零栅源电压时的残余漏电流，μA，不再...... 250
栅极漏电流，nA，不超过，脉冲持续时间不超过 300 μs，占空比至少为 50，漏源电压为零（对于 KP723A） - KP723V 在栅源电压为 ±20 V 时，对于 KP723G栅源电压±10V时......100
KP300A-的特性斜率，A/V，不小于，脉冲持续时间不超过50μs，占空比至少25，漏极-源极电压31V，漏极电流723A- KP723V ...... 15
KP723G......23
热阻，°C/W，仅此而已，过渡-案例......1
过渡 - 环境...... 62
开启时间，不，不再，KP30A-KP51V漏源电压723V，漏电流723A（信号源输出电阻9,1欧姆，栅源电压10Ω）五）...... 130
KP723G（4,6 欧姆，5 V）......247
关断时间，不，不再，KP30A-KP51V漏源电压723V，漏电流723A（信号源输出阻抗9,1欧姆，栅源电压10Ω）五）...... 150
KP723G（4,6 欧姆，5 V）......152
输入电容*，pF，无更多，在零栅源电压、漏源电压 25 V 和频率 1 MHz 时，KP723A-KP723V......2500
KP723G......4300
输出电容*，pF，无更多，在零栅源电压、漏源电压 25 V 和频率 1 MHz 时，KP723A-KP723V......1200
KP723G......1600
电容*，pF，无更多，栅源电压为零、漏源电压 25 V、频率 1 MHz ...... 290
保护二极管的正向电压，V，不大于，脉冲持续时间不大于300μs，占空比至少50，零栅源电压和漏电流**51A......2,5

限值

最大漏源电压，V，对于 KP723A、KP723B、KP723G ..... 60
KP723V......50
KP723A-KP723V 的最大栅源电压 V......±20
KP723G......±10
外壳温度为 25°C 时的最高直流漏极电流 A ...... 50
最高脉冲漏极电流，A，外壳温度为 25°C ...... 200
带散热器、外壳温度 25°C 时的最高连续功耗 W......150
最高转变温度，°С ...... 175
环境温度工作范围，°С -60...+125

静态电位的允许值 - 200 V（根据 OSP 1073.062 的 III 级刚性）。

在设备中安装晶体管的操作模式和条件必须符合 OSP 1336.907.0。不允许使用两个或两个以上参数最大允许值进行操作。为了提高可靠性和耐用性，建议在参数值不超过极限值70%的模式下使用晶体管。

安装时，允许在距离本体不小于1,5mm处一次弯曲曲率半径至少为5mm的引线，并且只能在垂直于引线平面并沿着弯曲处通过的平面内进行一次弯曲。带领。不允许扭曲引线。

本体到镀锡、焊接处的距离不应小于5mm。焊接温度 - 不超过 265°С。镀锡时间不应超过 2 秒，焊接时间不应超过 4 秒。

为了改善从晶体管法兰到散热器的热传递，建议使用导热润滑剂和导热膏，例如符合 GOST 8 的 KPT-19783。如果需要在晶体管下方安装绝缘垫圈，则其必须考虑热阻。

上图。图 1-8 显示了 KP723 系列晶体管参数的典型图形依赖性。两个外壳温度值下器件的输出特性族如图 1 所示。 2 和 3 以及图 4 和 XNUMX 中。 XNUMX 和 XNUMX - 它们的传输特性。

KP723 系列场效应晶体管

开沟道电阻对结温的归一化依赖性如图 5 和 6 所示。 7、如图所示。 XNUMX - 输入、输出和吞吐量电容对漏极-源极电压的依赖性。米。参考图XNUMX，a和b示出了通过晶体管的漏极输出的电流根据施加到通道输出的极性的电压的变化，这打开了器件的保护二极管。

图上。图 8 显示了限制漏极电流的温度依赖性。

作者：V. Kiselev，白俄罗斯明斯克

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