KP737 系列的场效应晶体管。参考数据

KP737 系列的场效应晶体管。参考数据

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强大的硅场效应晶体管 KP737A-KP737V 采用平面外延技术制造，具有富含 n 沟道的绝缘栅极和内置反向偏置保护二极管。这些器件设计用于无变压器二次电源、具有连续和脉冲控制的稳定器和电压转换器、电动机控制器件和电子设备的其他组件，具有广泛的应用。

晶体管封装在带有硬冲压镀锡引线的塑料外壳 KT-28 (TO-220) 中。该器件的质量不超过2,5克，根据外壳设计、内部连接方案和引脚排列，它们与KP727系列晶体管类似（参见《无线电》，2002年第1期，第 46 - 48 页）。

国外功能类似物：KP737A-IRF630、KP737B-IRF634、KP737V-IRF635。

Tacr 时的主要特性 avg =25°C

栅源阈值电压 V，连接漏极以及栅漏电流 0,25 mA......2...4
KP300A 的漏极电流，A 不小于，脉冲持续时间小于 50 μs，占空比大于 10，栅源电压为 737V（漏源电压为 4 V 时）...... .. 9
KP737B(4V)......8,1
KP737V (4,8V)......6,5
KP300A 的开路电阻，欧姆，不多，脉冲持续时间小于 50 μs，占空比大于 10，栅源电压为 737 V（漏极电流为 5,4 A）...... ..0,4
KP737B(5,1A)......0,45
KP737V(4,1A)......0,68
最大漏源电压和零栅源电压时的剩余漏电流，μA，不再...... 250
栅极漏电流，nA，不再，栅源电压 ±20 V 和零漏源电压...... ±100
KP300A 在脉冲持续时间小于 50 μs、占空比大于 25、漏源电压为 737 V 的情况下电流电压特性斜率 A/V 不小于（漏极电流为5,4 A)...... 3,8
KP737B(5,1A)......3,6
KP737V(4,1A)......2,9
保护二极管上的恒定正向电压（具有反向漏源电压）V，不大于，脉冲持续时间小于300μs，占空比大于50，零栅源电压和最大绝对值通过漏极输出的电流...... 2
热阻过渡外壳，°С/W，最大值......1,7
热阻过渡-环境，°С/W，没有更多......62
KP300A的保护二极管反向恢复时间，非（典型值），脉冲持续时间小于50μs，占空比大于5,9，正向电流100A，电流下降率737A/μs ...... 340
KP737B......380
KP737V......390
KP300A 的接通时间*、非（典型值）、50100μs 或更少、5,9 或更多占空比、16V 漏极到源极、12A 漏极到漏极、737Ω 漏极到源极和 41Ω 信号源输出阻抗。 .....XNUMX
KP737B、KP737V......48
关断时间*，非（典型值），脉冲宽度为 300 ms 或更小，占空比为 50 或更大，漏极至源极电压为 100 V，漏极电流为 5,9 A，漏极至源极电阻为 16 欧姆，信号为 12 欧姆KP737A 的源输出阻抗......59
KP737B、KP737V......62
输入电容*，pF，不再，栅源电压为零、漏源电压 25 V、频率 1 MHz ...... 1300
输出电容*，pF，不再，栅源电压为零、漏源电压 25 V、频率 1 MHz ...... 360
电容*，pF，无更多，栅源电压为零、漏源电压 25 V、频率 1 MHz ...... 120

*参考参数

限值

最高漏源电压，为KP737A……200
KP737B、KP737V......250
最大栅源电压，V......20
KP25A 在外壳温度 737°C 时的最高直接漏极电流 A ...... 9
KP737B......8,1
KP737V......6,5
KP25A 外壳温度 737°C 时的最高脉冲漏极电流 A......36
KP737B......32
KP737V......26
外壳温度 25 °С 时的最高恒定功耗 W......74
最高转变温度，°С ...... 150
环境温度工作范围，°С -55...+125
静态电位的最高允许值为 200 V（根据 OST 11073.062，刚性为 III 级）。

在设备中安装晶体管的条件必须符合 OST 11336.907.0。不允许在两个或多个组合参数的极限值下使用晶体管。为了提高可靠性，建议在不超过极限值70%的参数值下运行设备。

安装时，引线一次弯曲距外壳边缘不小于5mm，弯曲半径至少1,5mm。折叠线必须位于销钉的平面内。结论不能被扭曲。弯曲时，必须采取措施防止力传递到身体上。 -

本体到引线镀锡、焊接处的距离不得小于5mm。焊接温度 - 不超过 265°С，镀锡时间 - 不超过 2 秒，焊接时间 - 不超过 4 秒。

为了降低外壳散热器的热阻，建议在其接触处涂上导热润滑剂或导热膏，例如符合 GOST 8 的 KPT-19783。如果下面有绝缘垫片对于晶体管，必须考虑其热阻。

晶体管 KP737A - KP737V 参数的典型图形依赖性如图 1 所示。 7-XNUMX。

上图。图1a显示了在不同的栅极和源极之间的电压值以及正常情况温度下漏极电流对漏极-源极电压的依赖性。 1,b - 外壳温度为 1505 °C 时具有相同的依赖性。

KP737 系列场效应晶体管

器件在两种外壳温度下的典型传输特性如图 2 所示。 XNUMX.

明渠电阻的归一化温度依赖性如图 3 所示。图 4 显示了输入、输出和吞吐量电容对漏源电压的典型依赖性。 5. 随着晶体管体升温，最大漏极电流必须根据图 XNUMX 中的曲线图减小。 XNUMX.

KP737 系列场效应晶体管

图 6 显示了栅极电容电荷对栅源电压的典型依赖性。 XNUMX.

KP737 系列场效应晶体管

内置保护二极管的功能如图 7 所示。如图 XNUMX 所示，其中 Ic 是二极管开路时流经晶体管漏极端子的电流，Upr 是二极管两端的直接压降。

KP737 系列场效应晶体管

作者：V.Kiselev

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