强大的场效应晶体管KP784A。参考数据

强大的场效应晶体管KP784A。参考数据

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硅 p 沟道晶体管 KP784A 具有绝缘栅极和沟道富集，并带有内置保护二极管，采用平面外延技术制造。这些器件设计用于无变压器输入的二次电源、具有连续和脉冲控制的调节器、稳定器和电压转换器、计算机电源装置、电动机驱动装置和其他广泛应用的设备。

晶体管封装在带有刚性冲压镀锡引线的塑料外壳 KT-28-2 (TO-220AV) 中（图 1）。

强大的场效应晶体管KP784A

设备重量 - 不超过 2,5 g。

晶体管 KP784A - IRF9Z34 的外国模拟。

主要技术特点

阈值电压，V，漏极电流为 0,25 mA，栅极和源极连接..... 2...4
开路电阻，Ohm，不超过，脉冲持续时间不超过 300 μs，占空比至少 50，漏极电流 11 A，栅源电压 10 V ..... 0,14
漏极-源极电压为 60 V 且栅极-漏极电压为零时，剩余漏极电流，μA，不再......100
栅极漏电流，μA，不大于，栅源电压 ±20 V 和零漏源电压.....±0,1
电流-电压特性的陡度，A/V，不小于，脉冲持续时间不超过 300 ms，占空比至少为 50，漏极-源极电压为 25 V，漏极电流为 11一个......5,9
保护二极管的恒定正向电压 V 不大于，脉冲持续时间小于 300 ms，占空比大于 50，栅源电压为零，漏极电流为 18A ..... 6,3
最大工作频率，MHz.....1
热阻过渡外壳，°С/W，最大.....1,7
导通延迟时间，不，不再，在漏源电压为 30 V、漏极电流为 18 A、信号源输出阻抗为 12 Ohm 时..... 40
典型值.....20
晶体管电容，pF，不再，漏源电压 25 V，零栅源电压和频率 1 MHz，输入.....1540
休息日.....660
检查点.....140
在漏极-源极电压为 30 V、漏极电流为 18 A、信号源输出阻抗为 12 Ohm 时，漏极电流的上升时间不多不少 ..... 240
典型值.....120
漏极电流衰减时间，不，不再，在漏极-源极电压为 30 V、漏极电流为 18 A、信号源输出阻抗为 12 Ohm 时..... 116
典型值.....58

* 外壳温度为 25 °С。

限值

最高漏源电压，V ..... 60
最大栅源电压，V.....+20
最高直流*漏极，A.....18
最高脉冲电流 * 漏极，A ..... 72
外壳温度为 25 °C 时的最高连续功耗 W ** ..... 88
最高转变温度，°С..... 175
工作环境温度范围，°С.....-55...+150

* 前提是不超过功耗和结温的最高值。

** 在外壳温度范围 Тkorp +25...+150 °С 下，最大功率必须根据公式减小

Pmax =(Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k 其中Tnepmax为最高允许转变温度； Rt.n-k - 过渡外壳的热阻。

静电电位的允许值 - 200 V（根据 OST 11073.062 的 III 级刚性）。在设备中安装晶体管的操作模式和条件必须符合 OST 11336.907.0（参见 V. Kiselev 的文章“KP737 系列场效应晶体管”in “Radio”, 2002, No. 5, pp. 47, 48)。在组装和组装操作期间，不允许重新焊接超过三个晶体管引线。

KP784A 晶体管参数的主要典型图形依赖性如图 2 所示。 5-XNUMX。

强大的场效应晶体管KP784A

上图。图 2a 和 25b 显示了两种外壳温度 Tkorp - 10 ± 150 和 3 °C 下漏极电流 Ic 与漏极-源极电压 Uc 的关系。 XNUMX - 来自栅源电压Uzi。

强大的场效应晶体管KP784A

开路晶体管的沟道电阻 RK 在结的工作温度范围内的变化如图 4 所示。 25（RK - 通道电阻的当前值；Rk25 - Тper = XNUMX °С 时的通道电阻）。

强大的场效应晶体管KP784A

输入、输出和直通电容对漏源电压的依赖性如图 5 所示。 XNUMX.

强大的场效应晶体管KP784A

作者：V. Kisilei，白俄罗斯明斯克

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