场效应晶体管。典型应用。参考数据

场效应晶体管。典型应用。参考数据

免费技术库

晶体管	任命
2P101	适用于具有高输入阻抗的低频和直流放大器的输入级
KP102	适用于具有高输入阻抗的低频和直流放大器的输入级
2P103 2P103-9	适用于具有高输入阻抗的低频和直流放大器的输入级
2PS104	适用于具有高输入阻抗的低频直流差分低噪声放大器的输入级
2P201	适用于具有高输入阻抗的低频和直流放大器的输入级
2PS202	适用于具有高输入阻抗的低频直流差分低噪声放大器的输入级
KPS203	适用于具有高输入阻抗的低频直流差分低噪声放大器的输入级
KP301	用于低噪声放大器和高输入阻抗非线性小信号电路的前端
KP302	用于频率范围高达 150 MHz 的宽带放大器以及开关和开关设备
KP303	设计用于具有高输入阻抗的高频率（D、E、I）和低频率（A、B、V、G）放大器的输入级。 KP303G 晶体管适用于电荷敏感放大器和其他核光谱测定电路
KP304	设计用于具有高输入阻抗的开关和放大电路
2P305	设计用于具有高输入阻抗的高频和低频放大器级
KP306	设计用于具有高输入阻抗的高频和低频转换器和放大级
KP307	设计用于具有高输入阻抗的高频和低频放大器的输入级。 KP307Zh 晶体管适用于电荷敏感放大器和其他核光谱测定电路
2P308-9	适用于低频和直流放大器（A、B、C）的输入级、开关电路和具有高输入阻抗的开关电路（D、D）。
KP310	用于微波发射和接收装置
KP312	设计用于微波范围内放大器和转换器的输入级
KP313	设计用于具有高输入阻抗的高频和低频放大器级
KP314	用于核光谱测定装置的冷却前置放大器级
KPS315	适用于具有高输入阻抗的低频直流差分低噪声放大器的输入级
KPS316	用于差分放大器的输入级操作，用于具有高输入阻抗的各种用途的平衡电路
3P320-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，用于微波放大器件，在 8 GHz 频率下具有归一化噪声系数
3P321-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，用于微波放大器件，在 8 GHz 频率下具有归一化噪声系数
KP322	基于 pn 结的四极管，用于频率高达 400 MHz 的放大和混频级
KP323-2	用于低噪声和高频低噪声前置放大器输入级（高达 400 MHz）的 pn 结晶体管
3P324-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，用于微波放大器件，在 12 GHz 频率下具有归一化噪声系数
3P325-2	具有肖特基势垒的砷镓场效应晶体管，在 8 GHz 频率下具有归一化噪声系数，适用于低噪声微波器件以及低固有噪声光电探测器
3P326-2	用于前端和下游低噪声放大器的 17.4 GHz 肖特基势垒 FET
KP327	具有 n 沟道和二极管保护栅极的 MOS 四极管，用于米波和分米波电视频道选择器
3P328-2	具有肖特基势垒的砷镓场效应晶体管，具有 8 GHz 频率下的归一化噪声系数，适用于低噪声放大器的输入级和后续级
KP329	用于低频和高频放大器（高达 200 MHz）的输入级、开关器件和具有高输入阻抗的开关
3P330-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，具有标准化噪声系数，频率为 25 GHz（3P330A-2、3P330B-2）和 17.4 GHz（3P330V-2），用于低噪声放大器的输入级和后续级
3P331-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，在 10 GHz 频率下具有归一化噪声系数，适用于低噪声和高动态范围放大器
2P332	用于开关和放大器件的 p 沟道场效应晶体管
2P333	场效应 N 沟道晶体管，用于低频和高频（高达 200 MHz）放大器的输入级、开关器件和高输入阻抗开关
2P335-2	用于放大设备
2P336-1	用于开关和放大设备
2P337-R	根据电气参数成对匹配的晶体管适用于平衡放大器、差分放大器，在频率高达 400 MHz 时具有高输入阻抗
2P338-R1	根据电气参数成对匹配的晶体管适用于平衡放大器、具有高输入阻抗的差分放大器
3P339-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，在 8 和 17.4 GHz 频率下具有归一化噪声系数，适用于低噪声放大器、高动态范围放大器和宽带放大器
2P341	具有 pn 结的晶体管，用于频率范围 20 Hz - 500 MHz 的低噪声放大器的输入级
KP342	用于开关设备
3P343-2	用于前端和下游低噪声放大器的 12 GHz 肖特基势垒 FET
3P344-2	用于前端和下游低噪声放大器的 4 GHz 肖特基势垒 FET
3P345-2	具有肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，用于具有低固有噪声水平的光电探测器器件
KP346-9	MOS n 沟道双栅极晶体管，栅极受二极管保护，用于带电视接收器的电视频道选择器（A、B - 用于分米波，B - 用于米波）
2P347-2	用于无线电接收设备输入级的 n 沟道双栅极晶体管
KP350	设计用于超高频（高达 700 MHz）的放大器、发生器和转换器级
KP351	具有两个栅极 (3P351A-2) 和一个栅极 (3P351A1-2) 肖特基势垒的晶体管，设计用于低噪声放大器、混频器和其他厘米级器件
KP365A	BF410C n沟道晶体管
KP382A	BF960 双栅极 FET 通道选择器 DH
KP501A	ZVN2120 高压 MOSFET 用作模拟通信开关
KP601 2P601-9	具有扩散门和 n 沟道的场效应晶体管，在放大器和频率转换器的输入和输出级中运行
AP602-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于频率范围 3-12 GHz 的功率放大器、自振荡器、变频器
3P603-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于功率放大器、自振荡器、频率范围高达 12 GHz 的变频器
3P604-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于频率范围 3-18 GHz 的功率放大器、自振荡器、变频器
3P605-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于低噪声放大器和具有扩展动态范围的放大器范围
3P606-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于功率放大器、自振荡器、频率范围高达 12 GHz 的变频器
3P607-2	n 沟道砷镓场效应晶体管，适用于频率范围高达 10 GHz 的功率放大器、发电机、变频器
3P608-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷镓场效应晶体管，适用于放大器和发生器的输出级
KP701	用于二次电源、开关和开关频率高达 1 MHz 的开关器件的绝缘栅场效应晶体管
KP702	用于二次电源、开关和脉冲器件、关键稳定器和电压转换器、放大器、发电机的绝缘栅和 n 沟道场效应晶体管
KP703	用于二次电源、开关和脉冲器件、关键稳定器和电压转换器、放大器、发电机的具有绝缘栅和 p 沟道的场效应晶体管
KP704	具有绝缘栅和 n 沟道的场效应晶体管，用于多色图形显示器的最终视频放大器的输出级、辅助电源、电路开关设备
KP705	用于开关电源、开关和开关器件的N沟道绝缘栅场效应晶体管
KP706	用于开关电源、开关和开关器件的N沟道绝缘栅场效应晶体管
KP709	具有绝缘栅和n沟道的场效应晶体管，用于第四代和第五代电视接收器的脉冲电源、无线电电子设备的开关和脉冲器件以及电驱动器件。 BUZ90、BUZ90A 西门子的类似物。
KP712	具有绝缘栅和 p 沟道的场效应晶体管，适用于脉冲器件
KP717B	IRF350 MOSFET，400V，0.3ohm
KP718A	BUZ45 MOSFET，500 V，0.6 欧姆
KP718E1	IRF453 MOSFET，500V，0.6ohm
KP722A	BUZ36 MOSFET，200 V，0.12 欧姆
KP723A	IRF44 MOSFET，60V，0.028ohm
KP723B	IRF44 MOSFET，60V，0.028ohm
KP723V	IRF45 MOSFET，60V，0.028ohm
KP724G	IRF42 MOSFET，60V，0.028ohm
KP724A	MTP6N60 MOSFET，600V，1.2ohm
KP724B	IRF842 MOSFET，600V，1.2ohm
KP725A	TPF450 MOSFET，500V，0.4ohm
KP726A	BUZ90 MOSFET，600 V，1.2 欧姆
KP728A	800 V、3.0 欧姆 MOSFET
KP801	用于声音再现设备放大器输出级的pn结场效应晶体管
KP802	pn结场效应晶体管作为高速开关应用于直流电压变换器的关键电路中
KP803	用于二次电源、开关和脉冲器件以及关键稳定器和电压转换器、放大器和发电机的绝缘栅场效应晶体管
KP804	用于高速开关电路的 n 沟道绝缘栅场效应晶体管
KP805	具有绝缘栅极和 n 沟道的场效应晶体管，用于构建具有无变压器输入的二次电源，通过频率为 50 Hz、电压为 220 V 的工业交流网络运行，以及用于其他电能转换设备
KP809	MOS 晶体管，工作频率高达 3 MHz 或更高，适用于无变压器输入的开关电源、稳压器、稳定器和转换器
KP810	用于无变压器输入高频电源、关键功率放大器电路的静电感应装置
KP812	具有绝缘栅和 n 沟道的场效应晶体管，用于开关电源、稳压器、音频放大器
KP813	MOS 晶体管，工作频率高达 3 MHz 或更高，适用于无变压器输入的开关电源、稳压器、稳定器和转换器
KP814	用于开关电源的 N 沟道绝缘栅场效应晶体管
KP901	具有绝缘栅极的场效应晶体管设计用于短波长和超短波长（高达 100 MHz）范围内的放大器和发生器级
KP902	具有绝缘栅极的场效应晶体管，用于频率范围高达 400 MHz 的发射和接收设备
KP903	pn 结场效应晶体管，用于频率范围高达 30 MHz 的接收、发射和开关设备
KP904	具有绝缘栅极的场效应晶体管设计用于短波长和超短波长范围内的放大、转换和发生器级
KP905	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成频率范围高达 1500 MHz 的信号
KP907	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成频率范围高达 1500 MHz 的信号，以及用于纳秒范围内的高速开关器件
KP908	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成频率范围高达 2.25 GHz 的信号
KP909	具有绝缘栅极的场效应晶体管，可在频率高达 400 MHz 的连续和脉冲模式下在放大器和发生器设备中运行
AP910-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于功率放大器、发电机，频率范围高达 8 GHz
KP911	用于放大器和发生器设备的具有绝缘栅极的场效应晶体管
KP912	具有绝缘栅极的场效应晶体管，用于关键稳定器和电压转换器、脉冲器件、放大器和发生器
KP913	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成频率范围高达 400 MHz 的信号，电源电压高达 45 V
2P914	具有 pn 结 d 的场效应晶体管，用于放大器、转换器和高频发生器以及开关器件
3P915-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于功率放大器、发电机，频率范围高达 8 GHz
KP918	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成高达 1 GHz 的信号以及快速开关应用
KP920	绝缘栅场效应晶体管，用于放大和生成频率范围高达 400 MHz 的信号，以及用于高速开关器件
KP921	具有绝缘栅极的场效应晶体管，设计用于高速开关设备
2P922 2P922-1	具有绝缘栅极和 n 沟道的场效应晶体管，设计用于二次电源、高速开关和脉冲器件以及稳压器和转换器
KP923	具有绝缘栅极的场效应晶体管，适用于放大器和发生器设备以及频率高达 1 GHz 的线性放大器设备
3P925-2	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷化镓场效应晶体管，适用于频率范围 3.7-4.2 GHz (3P925A) 和 4.3-4.8 GHz (3P925B) 的宽带功率放大器，路径特性阻抗为 50 欧姆，包含内部匹配电路
2P926	用于二次电源、开关和开关器件以及开关和线性器件的场效应晶体管
3P927	具有 n 沟道肖特基势垒的砷化镓场效应晶体管，适用于频率范围 1-18 GHz 的功率放大器、自振荡器、变频器
2P928	两个具有 n 沟道和共源极、发生器的 MOSFET，适用于功率放大器和发生器
3P930	具有肖特基势垒和 n 沟道的砷镓场效应晶体管，工作频率范围为 5.7-6.3 GHz
KP932	用于彩色显示器视频放大器级工作的高压晶体管
KP933	两个具有 n 沟道和公共源的 MOS 晶体管，用于线性和宽带放大器器件以及具有高频率稳定性的自振荡器（用于放大和生成频率高达 1 GHz 的信号）
KP934	具有静态感应和 n 沟道的晶体管，用于二次电源和高压开关设备
KP937	具有 pn 结和 n 沟道的开关场效应晶体管，用于二次电源、电压转换器、电力驱动系统、脉冲发生器、电火花处理复合体
KP938	具有 pn 结和 n 沟道的开关高压场效应晶体管，用于次级电源、为直流和交流电机供电、强大的开关、低频放大器
2P941	用于在电源电压为 400 V 时工作频率高达 600-12 MHz 的无线电电子电路中生成信号和功率放大
KP944	具有p沟道的MOS晶体管，用于在磁盘上的计算机存储设备的控制电路中运行
KP944	用于磁盘上计算机存储设备控制电路中操作的n沟道MOS晶体管
KP946	用于无变压器输入高频电源、关键功率放大器电路的静电感应装置
KP948	用于无变压器输入高频电源、关键功率放大器电路的静电感应装置
KP953	用于无变压器输入高频电源、关键功率放大器电路的静电感应装置
KP955	用于无变压器输入高频电源、关键功率放大器电路的静电感应装置

出版：cxem.net

查看其他文章 部分参考资料.

读和写 有帮助对这篇文章的评论.

<< 返回

科技、新电子最新动态：

交通噪音会延迟雏鸡的生长 06.05.2024

现代城市中我们周围的声音变得越来越刺耳。然而，很少有人思考这种噪音如何影响动物世界，尤其是像尚未从蛋中孵出的小鸡这样娇嫩的动物。最近的研究揭示了这个问题，表明它们的发展和生存会产生严重后果。科学家发现，斑马小菜斑幼鸟暴露在交通噪音中会严重影响其发育。实验表明，噪音污染会显着延迟它们的孵化，而那些孵化出来的雏鸟则面临着许多健康问题。研究人员还发现，噪音污染的负面影响也延伸到了成年鸟类身上。繁殖机会减少和繁殖力下降表明交通噪音对野生动物产生长期影响。研究结果凸显了需要 ... >>

无线音箱三星音乐框 HW-LS60D 06.05.2024

在现代音频技术领域，制造商不仅追求无可挑剔的音质，而且追求功能与美观的结合。这一方向的最新创新举措之一是在 60 年三星世界活动上推出的新型三星音乐框架 HW-LS2024D 无线扬声器系统。三星 HW-LS60D 不仅仅是一个扬声器系统，它还是框架式声音的艺术。 6 扬声器系统与杜比全景声支持和时尚相框设计的结合使该产品成为任何室内装饰的完美补充。新款三星音乐框架采用先进技术，包括可在任何音量级别提供清晰对话的自适应音频，以及可实现丰富音频再现的自动房间优化。这款扬声器支持 Spotify、Tidal Hi-Fi 和蓝牙 5.2 连接，以及智能助手集成，可满足您的需求。 ... >>

控制和操纵光信号的新方法 05.05.2024

现代科学技术发展迅速，每天都有新的方法和技术出现，为我们在各个领域开辟了新的前景。其中一项创新是德国科学家开发了一种控制光信号的新方法，这可能会导致光子学领域取得重大进展。最近的研究使德国科学家能够在熔融石英波导内创建可调谐波片。这种方法基于液晶层的使用，可以有效地改变通过波导的光的偏振。这一技术突破为开发能够处理大量数据的紧凑高效光子器件开辟了新的前景。新方法提供的偏振电光控制可以为新型集成光子器件提供基础。这为以下人员提供了绝佳的机会： ... >>

来自档案馆的随机新闻

木头会引起过敏 07.07.2003

来自德国不伦瑞克木材研究所的专家发现，由天然软木制成的墙壁、镶木地板和家具会导致居民过敏。

软木将树脂成分释放到空气中——萜烯、蒎烯、柠檬烯和其他芳香族化合物。而当被砍伐的树木中的天然树脂开始分解时，醛类和有机酸也会进入空气中。

科学家们分析了针叶木广泛使用的房屋和公寓中的空气成分，得出的结论是，近年来，在追求住房的环境友好性方面，建筑商和装修商已经走得太远了。在穿过针叶林时可以看到云杉和松树向空气中释放有机分子的事实。气味令人愉悦，但许多人很难在其影响下持续生活：咳嗽、喉咙痛、鼻咽刺激和其他过敏症状开始出现。

科学家建议用无色清漆覆盖家具、镶木地板和木质墙板，最好是水性清漆。基于有机溶剂的清漆也是合适的，但在处理后，房间必须通风数天。硬木：山毛榉、橡木、桦木等 - 含有少量挥发性物质，不需要进行此类处理。

每立方米空气中高达 200 微克的萜烯被认为是人类长期逗留的安全剂量，但在一些家庭和机构中，研究人员发现浓度为每立方米 2000 甚至 6000 微克。

其他有趣的新闻：

▪ LED操作

免费技术图书馆的有趣材料：

▪ 文章无论你在哪里工作，就不要工作。流行表达

▪ 文章蜘蛛如何在空中飞行很远的距离？详细解答

▪ 文章砂浆泵操作员。职位描述

▪ 文章调制射频发生器。无线电电子电气工程百科全书

▪ 文章修复 TSI Sega Mega Drive-2。无线电电子电气工程百科全书

留下您对本文的评论：

本页所有语言

主页 | 图书馆 | 用品 | 网站地图 | 网站评论