输出功率为一到几十瓦的高频振荡器。方案、说明

输出功率为一瓦至数十瓦的高频振荡器。无线电电子电气工程百科全书

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KP1A晶体管上的发生器（图901）的实际电路在30 ... 80 MHz的频率范围内提供了Pout \u2,5d 904 W。 KP20A 晶体管上的类似电路具有 Pout = 4 W，频率为 fo = 52 MHz 和 Up = 36,4 V（功耗 15 W，耗散 2 W）。数值L5,6=2 MH，C760=2 pF，R=XNUMX Ohm。

输出功率为一到几十瓦的高频振荡器
Ris.1

在具有高输出功率（几瓦到几十瓦）的低频下，非饱和复合晶体管可用于发电机，其中强大的 FET 控制着更强大的双极晶体管。图 2 显示了基于复合晶体管的石英振荡器示意图。

输出功率为一到几十瓦的高频振荡器
Ris.2

图 3 显示了消耗电流和输出功率对温度的依赖性。当温度从 2,3°C 变为 3,5°C 时，这些参数的最大变化分别不超过 25% 和 70%。在漏极电流截止角 Q=70° 的情况下，发电机提供 10 W 的输出功率，总效率为 65%。生成频率7,41 MHz，平均每小时频率不稳定性不超过2*10^-7.

输出功率为一到几十瓦的高频振荡器
图 3。电流消耗相关性 (1) 和输出
电源 (2) 在环境温度下。

输出功率为一到几十瓦的高频振荡器
图 4。强大 PTS 上自振荡器的相位噪声级别 (1)
微波双极晶体管 (2) 和耿氏二极管 (3)

因此，强大的 FET 上的自振荡器几乎涵盖了所有使用的频率范围。对于许多应用，自振荡器的相位噪声水平很重要。从图4可以看出，在这个参数上，大功率FTS的GaAs微波发生器不如基于微波双极晶体管和耿氏二极管的发生器。预计在开发具有亚微米通道长度的高功率 PTS 时，调制噪声水平将降低 20 dB。

文学

强大场效应晶体管上的器件电路。目录。由 V.P. Dyakonov 编辑。

出版：N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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目前，现有的变形纤维存在局限性，阻碍了它们在纺织工业中的使用。麻省理工学院的研究人员开发了 FibeRobo，它可以默默地激活并改变其形状。该纤维可收缩 40%，在对皮肤安全的温度下激活，每米成本低至 20 美分。

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