场效应晶体管上的宽带功率放大器。方案、说明

场效应晶体管宽带功率放大器。无线电电子电气工程百科全书

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中和晶体管通过电容的功率放大器

该类型的单端放大器只能工作在A类，其能量性能与低频单端变压器放大器相似。典型效率值通常不超过 35...40%（同时，主要由二次谐波引起的非线性失真非常明显）。基于 Uc=1V 的 VMP24 晶体管的放大器在 Ku=4dB 时提供 Pout=15W，放大频段为 2 至 150MHz。

图1（点击放大）

T1 由两根直径为 0.3 毫米的线绞合而成，包含 4 匝。磁芯类型 F625-BQ2。可以使用低磁导率的国产射频环。

具有并联负反馈电路的功率放大器

该版本的放大器没有输入变压器，也没有中和电容 SZS，带宽只有一半。

基于场效应晶体管的宽带功率放大器
Ris.2

此类放大器的各种变体（取决于变压器和所用晶体管的设计）在高达 12 MHz 的频带内提供增益 Ku=30...300 dB，噪声系数为 3...5 dB。

推挽式宽带功率放大器

仅当使用以 AB 类模式运行的推挽级联时，宽带 PA 的能量参数才有可能得到显着改善。该版本的电路如图 3 所示。在 15...2 MHz 频段内 K=100 dB 时，它提供 Рout=8 W。放大器的输入和输出阻抗均为50欧姆。

基于场效应晶体管的宽带功率放大器
Ris.3

电容器Cn用于中和。该放大器的开发人员建议通过并联四个或五个较大的电阻器来降低电阻器 R2 的寄生电感。相反，为了减小电阻R1和R4的寄生电容，建议采用几个额定值较低的电阻串联的形式。

变压器的制作与图 1 中的电路类似（3 根线绞合 - 4 匝）。文章中没有给出场效应晶体管的类型（我认为你可以使用KP901类型的晶体管）。

文学а

1. EDN 杂志，20 年 1974 月 71 日，第 75-XNUMX 页。
2. 基于强大场效应晶体管的器件电路。目录。埃德。副总裁佳科诺娃。

出版：N. Bolshakov, rf.atnn.ru

查看其他文章 部分射频功率放大器.

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