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物料、半成品、成品接收方劳动保护说明。 完整文件

劳动保护

劳动保护 / 劳动保护标准说明

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事故预防

一、劳动保护的一般要求

1.1. 每个工人在进入工作岗位后,必须接受介绍性的一般安全简报,并且当将他从一个工作转移到另一个工作时(至少在短时间内,以及从一个车间转移到另一个车间),他必须在以下地点接受安全简报:他将服务的工头的工作场所。

1.2. 年满 18 周岁,接受过安全劳动方法和技术培训,学习劳动保护说明并在工作场所接受指导的人员,可以独立从事材料、半成品和成品的接收工作。 。

2、上岗前的劳动保护要求

2.1。 确保它是正确的。 工作服。 把衣服拉上拉链。

2.2. 确保所有必要的容器(货物和配件)均可用且状况良好。

2.3. 检查工作场所:是否照明充足且不杂乱。

三、工作中的劳动保护要求

3.1. 请勿超过允许的手动携带重量:男性 50 公斤,女性 - 15 公斤。

3.2. 背上举起重量超过 20 公斤的重物,并仅在助手的帮助下将其从背上卸下。

3.3. 装卸重量超过 50 公斤的货物应使用起升机构进行,并遵守起升机构维护保养说明和使用起升机构时的安全规则。

3.4. 进行货物运输工作时,应按照运输人员的指示进行指导。

3.5. 在汽车起重机附近工作时要小心。 请勿在没有电梯操作员的情况下使用电梯。

3.6. 标记货物时,请确保油漆不会进入您的眼睛。

3.7. 监控货物包装的正确性和可靠性

4、工作结束时的劳动保护要求

4.1. 整理你的工作空间。 将设备移至为此提供的位置。

4.2. 向商店管理人员报告工作期间发现的任何缺陷。

4 3. 采取个人卫生措施。

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新的 RDIMM 包括 36 个 DDR4 DRAM 芯片,每个芯片由四个 4Gb DDR4 DRAM 裸片组成。 低功耗芯片采用三星最先进的 20nm 级工艺和 3D TSV 封装技术制造。

“随着采用 4D TSV 技术组装的节能 DDR3 模块的推出,我们正朝着主流 DDR4 市场迈出一大步,随着预计在今年下半年推出下一代 CPU,该市场将显着扩大,”三星电子内存解决方案营销部副总裁 Jiho Baik 说。

总体而言,该公司指出,继去年三星首次生产 3D Vertical NAND (V-NAND) 闪存之后,3D TSV 模块的量产标志着内存技术历史上的新里程碑。 该公司解释说,虽然 3D V-NAND 技术在单片芯片中使用高垂直单元阵列结构,但 3D TSV 是一种创新的堆叠技术,允许芯片的垂直层相互连接。
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“为了创建 3D TSV DRAM 封装,DDR4 裸片被研磨到只有几十微米的厚度,之后在裸片上形成数百个小孔。它们使用穿过孔的电极垂直互连, ”三星代表说。新的 64 GB TSV 模块的性能是 64 GB 模块的两倍,其中封装采用有线安装,模块的功耗大约减半。”

三星表示,未来将有可能使用 4D TSV 技术互连四个以上的 DDR3 裸片,从而可以构建更高密度的 DRAM 模块。 这将加速高端内存市场的扩张以及服务器市场从 DDR3 向 DDR4 内存的过渡。

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