无线电电子与电气工程百科全书 那么是否有可能保护 AON 免受故障影响呢? 无线电电子电气工程百科全书 我们已经多次讨论过通过自动识别主叫号码(CALLER)来提高由交流电源供电的电话可靠性的方法。 某些重新启动设备可能不适用于所有软件版本。 还有其他限制。 拟议的文章讨论了故障保护设备的选项,这些设备不仅可用于采用 Z80 处理器的电话,还可用于其他来电显示。 考虑 AON 运行不稳定的主要原因。 1. 由于电源脉冲噪声引起的故障。 强干扰是由含有电源变压器或电动机的家用电器引起的,尤其是冰箱。 根据笔者的经验,最好的保护措施是分配一个单独的插座为AON供电,并尽可能远离此类设备连接到电线。 2. 设备本身的制造质量。 我强调,我仅在焊接良好的高质量印刷电路板上组装的 AON 上进行了测试(否则,值得花费时间和精力进行现代化改造吗?)。 安装微电路的面板必须提供可靠的接触。 只要怀疑面板质量很差,就必须更换它们。 3. 瞬时停电是绝大多数故障的原因。 这对 Z80 上的 AON 最典型的影响如下: 类型=“光盘”>最后两类和类似的失败会产生非常不幸的后果,因为它们与用户无法访问的 GA 程序的系统变量的失真相关。 这需要处理器“冻结”并随后重新启动,并且 RAM 中存储的信息完全丢失。 通常,此类故障不会立即导致“冻结”,而是保留在内存中,然后像计算机病毒一样表现出来,造成设备正在工作的错觉。 因此,跟踪指示器扫描的安全设备并不总是有效。 使用 BUSRQ 信号禁用处理器总线(对于 Z80)也不能解决问题。 不幸的是,类似的缺点也存在于不同元件基础上的 AON 中,特别是在 80s31 微型计算机上。 使用闪存的设备可以更好地防止故障。 对AON工作的分析表明,造成这些现象的原因是对设备数字部分的研究不够。 特别是,当电源电压从+5V变为零(断电)时,RAM芯片输入端的WR和RD信号在一段时间内具有不确定的值,因为这些线上的电压与电源同步下降。供应。 RAM 中此类信号的禁止级别很高。 另外,也不排除CS信号误选择RAM的可能性。 这两个因素的结合可能导致 RAM 的寄生操作,写入不适合 RAM 的信息会产生上述效果。 在读取模式下错误选择 RAM 也是有害的:在这种情况下,数据总线开始由 RAM 支持电容器供电。 结果,在2…3秒内放电了一半以上。 RAM中数据的长期存储自然就不用谈了。 防止此类故障的最有效方法是监控电源电压,并在电压低于特定水平时阻止 RAM。 在这种情况下,RAM 芯片的 CS 输入处生成的抑制信号会在瞬态过程的整个持续时间内将其禁用。 这既消除了存储器中信息的失真,也消除了支持电容器的快速放电。 所提出的方法具有非常高的效率(超过 99%),因为不仅消除了后果,而且还消除了故障原因。 这种保护适用于具有任何版本的 ROM 程序、具有不同类型的处理器(Z80 和单片机)和 RAM(80 和 1 KB)的设备,即几乎所有使用来自电力网络。 缺点是缺乏针对脉冲噪声的保护。 如果仍然出现此问题,您还可以使用 ZXNUMX 的重启设备,例如,如 [XNUMX] 中所示。 在基于微机的AON中,设备中通常包括自动重启装置。 上图。 图 1 显示了保护设备的基本版本及其与使用 80 KB RAM 的典型 Z2 呼叫者 ID 方案的连接。 AON 板上的元件名称对应于[2]。 比较器DA1用作施密特触发器,其响应水平取决于电阻器R3-R5的值的比率(实际上只有下阈值的值很重要)。 当电源电压(DA4 引脚 1 处的电压)下降到某个值时,DA9 引脚 1 处出现高电平。 晶体管 VT1 和 VT2 打开,而控制 AON RAM 选择的晶体管关闭。 处理器复位电路中的电容器通过开路的晶体管VT1快速放电,从而保护处理器在电源短暂(小于2秒)中断期间不会死机。 比较器本身在瞬态过程中的电源由电容C1提供。 该装置采用MLT电阻器、电容器C1-K50-35。 PCB图如图所示。 2. 要设置该设备,您需要一个输入电阻至少为 1 MΩ、分辨率至少为 0,01 V 的数字电压表。首先,电阻器 R4 必须替换为串联恒定电阻器电路,电阻值为2 kΩ 和可变 4,7 kΩ,后者设置为最小位置电阻。 然后,他们测量 DA4 微电路的引脚 1 处的电压,并缓慢旋转可变电阻滑块,将 DA3 引脚 1 处的电压设置为比测量值低 0,04 ... 0,08 V。 应该记住,超过 0,1 V 的电位差会降低保护的有效性,如果电位差太小,可能会出现误报,例如由于元件的温度不稳定。 测量时,必须注意确保比较器不会在引脚 9 处切换到高电平状态。 之后,测量两个电阻器电路的电阻,并用一个尽可能准确选择的恒定电阻器代替。 配置好的板卡放置在AON机箱内,连接线尽量短。 要检查保护属性,您需要在网络中打开来电显示并重新启动程序(特别是对于 Rus 版本,请按以下键:“*”、“#42;”、“3 ”、“5”、“1”)。 然后使用带有内置开关的延长线反复(30...40 次)循环关闭和打开电源。 之后,您需要查看用户可用的 AON 存储区域的内容:来电和去电档案、笔记本、闹钟。 其中信息的缺乏表明了保护的可靠性。 查看用户常量并将它们与重新启动后内存中的值进行比较也很有用。 如果仍然检测到内存故障,则应重复设置(见上文),将电阻器 R4 设置为稍大的阻值。 现在简单介绍一下 AON 中的 RAM 充电电容器。 最佳容量可以考虑为 220 ... 470 微法。 起主要作用的不是电容值,而是绝缘质量,即漏电流。 电容器的类型是通过实验选择的。 所以,廉价的国产电容和国产K50-35通常能够维持RAM电量3...。 最好的选择是使用离子电阻器或通过二极管连接的 4-2 个“指状”电池组成的电池,这使得设备的存储器实际上是非易失性的。 为了放置元件,可以方便地使用许多设备中提供的电池盒,特别是“Technica”。 还有一点需要注意的是AON的电源单元(PSU):由于灵敏度较高,保护器件对其提出了更高的要求。 明显纹波的存在是非常不受欢迎的,并且在某些情况下通常是不可接受的(特别是如果比较器输入之间设置了非常小的电位差,请参见上文)。 因此,您应该检查 PSU 在负载下的运行情况:KR142EN5A 稳定器输入端的最小瞬时电压不应低于 8,5 V。即使在网络中电压较低的情况下,使用 LATR 测试电源也很有用。这。 如果输出出现纹波,应更换PSU或采取措施完善:增加次级绕组匝数、将中点整流器更换为整个绕组供电的桥式整流器等。 保护装置的第二个版本如图3所示。 它基于积分定时器DA1,非典型开启:UR输入(引脚5)用于提供工作电压,R输入(引脚6)是参考电压。 分压器 R1 R2 允许您在 DA5 的引脚 6 和 1 之间设置百分之几伏的电压,这决定了器件的灵敏度。 工作原理与第一个版本相同:在断电期间,DA5 引脚 1 的电压下降速度比引脚 6 快得多,因此,作为 DA1 定时器一部分的上层比较器,被触发,DA1 输出出现低电平。 当电源随后打开时,由于低电平比较器的作用,DA1 芯片的输出保持高电平,其输入(DA2 的引脚 1)连接到公共线 [3]。 DA1 输出具有推挽输出级(引脚 3),用于阻塞机器的 RAM。 根据 AON 中使用的处理器和 RAM,可以使用三种打开选项之一。 1. 无论处理器类型如何,设备均使用 RAM KR537RU17 或类似内存。 在这种情况下,我们使用RAM芯片的同相CS输入(引脚26),该输入通常不使用并连接到电源的正输出。 需要将指示输出与电源电路断开,并直接从 DA3 芯片的输出 1 向其施加信号。 电阻器 R’ 必须安装在 AON 板上(图 39),该电阻器在存储模式下保持 CS 输入处的无效电平。 2.使用RAM KR537RU10(RU8),其采样电路包含晶体管[4]。 这种节点结构几乎用于 Z80 上的所有设备,但很少用于其他呼叫者。 在这种情况下,需要安装VD3二极管,并将其阳极用导体连接到上述晶体管的基极,如图4所示。 3、使用RAM KR537RU10(RU8),其采样电路没有晶体管。 这种连接对于大多数基于微型计算机的 AON(例如 80s31)来说是典型的,并且在基于 Z80 的设备中极为罕见。 RAM微电路的CS输入(引脚18)进行阻断,AON板上安装有VT晶体管和电阻R&39; (图5)。 有必要在方便的地方切割通往微电路指定输出的印刷导体,并小心地将晶体管与发射极和集电极的输出焊接到其上。 基础 VT 的结论是: 连接保护装置的导线,同时安装电阻器 R39 代替 VD3 二极管。 电阻R’ 安装在 AON 板上 RAM 芯片的引脚 3 和 39 之间。 值得注意的是,AON中使用的国外RAM芯片的种类繁多,实际上只有两种类型的芯片,容量不同:2 kB和8 kB。 特别是,具有 24 个输出的微电路在功能和引脚排列方面都与国产器件 KR537RU10 (RU8) 类似。 同样,国外28脚封装的微电路可以与国产KR537RU17互换。 另外,我们可以提到FLASH存储芯片(通常采用8引脚封装制造); 它们在呼叫者 ID 中相对较少使用,并且由于不同的物理操作原理,不需要任何防干扰保护。 集电极开路定时器输出 DA1(引脚 7)用于重新启动处理器。 对于 Z80,只需在 AON 板上找到初始启动电路电容器,将导体从指定的输出 DA1 连接到该电容器的正极端子即可。 在单片机制作的来电显示中,保护装置补充了标准的自动重启系统,使其操作更加正确。 要实现保护,首先需要找到一根连接微机复位输入的导线(例如,对于DIP封装的80s31,这是引脚9[4])。 然后,识别重启系统操作中涉及的逻辑元件(通常在K561LN2或K561LE5微电路上执行),最后是初始启动电容器。 通常,该电容器的负极端子连接到一根公共电线,而来自 DA7 微电路引脚 1 的导体必须连接到正极。 为了建立该装置,电阻器R2(图3)必须暂时用电阻为10 kOhm 和可变47 kOhm 的串联恒定电阻器电路代替。 然后,他们打开电源中的 AON,并从零慢慢增加可变电阻器的电阻,从而导致设备操作出现故障(记分板上的读数消失)。 之后,测量两个电阻器电路的电阻,并用一个比测量电阻小 4 ... 5 kOhm 的恒定电阻器替换。 您可以按照与第一版设备相同的方式检查保护的运行情况,如有必要,请重复设置。 使用阻值较小的电阻器R2会降低保护效果,阻值过大会导致器件误动作。 AON 电源的质量要求以及选择 RAM 支持电容器的建议与第一个选项相同。 我只想补充一下,容量为 8 KB 的 RAM 芯片(KR537RU17 或类似)在静态模式下的电流消耗明显高于 XNUMX KB 的 RAM 芯片。 因此,即使使用高质量的电容器,也很少能实现超过一小时的存储时间;建议使用离子电阻器或原电池组进行供电。 图上。 图6示出了印刷电路板的图。 文学
作者:D. Nikishin, Kaluga 查看其他文章 部分 电话. 读和写 有帮助 对这篇文章的评论. 科技、新电子最新动态: 世界最高天文台落成
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