带稳压器的开关电源 1 ... 32 V，功率为 200 W。方案，说明

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带稳压器的开关电源 1 ... 32 伏，功率 200 瓦。无线电电子电气工程百科全书

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所提供的电源能够通过旋转 R9 电阻器的旋钮从 1 伏到 32 伏来改变电压，它具有过载保护和所有业余无线电实验所需的电源。所有范围的负载能力不超过 6 安培。

该电源具有稳压功能，并且与 220V 网络电隔离。该电源是我和我的朋友发明的，并经过了实际测试。在电源 (PSU) 的组装和配置过程中，需要使用双光束示波器。

（点击放大）

为防止电容器C5、C6充电时产生瞬间大电流而提供交流电压，该装置由电阻R1、R2、R3、继电器、RES22、三极管、KS156A稳压二极管、电容器C1和电容C0.33组成。容量为250微法105V，KDXNUMXB上的二极管组件。

接通时，电容C5、C6通过电阻R3充电，继电器动作的延时电路提供了给大功率电容C5、C6充电所需的时间，电容充电完毕后，继电器闭合触点，电流直接流动，从而可以使电源以满功率负载。

下一个节点是交流电源和周围区域电源的噪声保护节点。电源外壳必须由金属制成。它用作防止周围空间干扰的屏障，并且必须接地。

干扰电压通过电容器 C2 和 C3 施加到外壳；这些干扰也会到达地线。 220V网络中的噪声滤波器是在L1线圈和C4电容器上制作的。

电源整流器采用大功率二极管组件KVRS1006，体积小，可承受10A直流电流，脉冲电流可达50A，电容C5、C6和电阻R3 R4上装有2分压器，从而将电压降低到150伏左右，该电压通过电容C1提供给电源变压器T7，电容C50的电容较小，从而在变压器开关期间以直流方式对强大的场效应晶体管进行去耦。频率为XNUMXkHz。

电容器 C7 可防止 IRF740 晶体管在主脉冲发生器停止时被击穿。并联T1变压器和IRF740晶体管的高频二极管可以保护T1变压器的高压浪涌，而不会击穿高压晶体管，虽然这种情况下晶体管本身有保护，但二极管工作更快更可靠。

选择场效应晶体管是因为它们比双极晶体管具有更快的速率，这一点非常重要，因为晶体管在从关断到打开的过渡过程中会经历更多的瞬时功率。晶体管的打开或关闭周期越快，更大的负载能力。

场效应晶体管的控制完全委托给IR2113微电路，场效应晶体管具有寄生栅漏电容，因此在控制时具有制动作用，IR 2113微电路可以产生高达2安培的脉冲电流控制过程中，从而保证功率场效应晶体管的快速饱和，以及饱和后的输出。 10 欧姆晶体管栅极中包含的电阻器可防止电流过大。

电容C18和二极管KD247D作为IR2113微电路控制单元的电源，上面的IR740微电路根据IRF18晶体管电路，晶体管栅极处的幅度不应超过20..11V且不应低于2113伏。 IR494芯片的控制脉冲来自TLXNUMX脉宽调制器。

该微电路通过缩小和扩展矩形脉冲来改变提供给电源变压器的功率，从而起到稳定器和电压调节器的作用。来自TL9的输出10和494的控制脉冲被馈送到上晶体管10 IR2113和下晶体管12 IR2113的控制输入。 TL494 的输出负载有两个 1 kΩ 电阻。

电源工作的主振荡器频率由连接到 TL5 输入 494 的电容器和连接到 TL6 输入 494 的微调器的电容决定。IRF740 控制晶体管在工作期间必须在脉冲之间关闭，这是由于晶体管不能立即关闭，因此当上晶体管尚未完全关闭而下晶体管已开始打开时，可能会出现直通电流，因此直流电可以同时通过两个晶体管，从而，禁用它们。为此，需要向 TL4 的输入 494 施加电压，以设置脉冲之间的最小间隙。

电容器 C14 和 15 kΩ 的微调电阻器产生相同的偏置，允许您调整此间隙，并且当设备连接到网络时，电容器 C14 会平滑地升高电压。充电时，减小保护间隙，增大变压器T1的控制脉冲宽度。应该用示波器检查什么？保护死间隙不应低于脉冲宽度的四分之一。 TL494 输出的脉冲宽度可根据施加到输入 0 的 3 ... 3 伏范围内的电压进行调节。

该电压由 TL494 微电路的电压调节器从输出 14 和 13 提供，等于 5 V ± 5%。执行电流隔离的光耦合器根据电压调节施加到 TL3 输入 494 的电压电源输出。

与光耦合器串联的 680 欧姆电阻和 100 微法拉电容器可防止电源励磁，如果发生这种情况，必须提高这些部件的额定值。如果发生励磁，则在任何情况下都不应加载电源，因为 IRF740 功率晶体管在对电容器 C8 C9 C10 充电时可能会过载。

励磁期间，电源开始发出尖叫声，输出电压开始跳变。次级绕组的整流器由两个肖特基二极管组成，速度为100kHz，最大电流可达30安培，型号为KD2997A，也可以用KD213任意字母代替。首先，平滑发生在电容器 C8 和 C9 上，C8 发生在高频处，C9 发生在低 50 Hz 处，然后通过扼流圈和另一个电容器 C10。短路保护由一个晶体管、几个电阻和一个RS触发器组成，速度很快。工作电流的调节是通过调谐电阻R8来调节的。

来自晶体管VT1的电压放大信号被馈送到触发器，当输入2处出现低于4伏的电压时，触发器通过晶体管打开PS2501光耦合器，将TL16的第494个输入连接到+5V，这导致控制脉冲的供给终止。从微电路第 16 个输入处的光耦合器，电压通过 10 kΩ 电阻器到达二极管和电容器，充电至 0,5 伏的二极管饱和电压。此时需要使用硅二极管，例如KD103A，当按下触发控制按钮时，光耦截止，电源离开过载状态。在TL16的输入494处，电压逐渐降低，向2kΩ和10kΩ的电阻放电，因此脉冲宽度开始增加到可变电阻R9设定的极限。

细节应与图中相同。 T1变压器采用W形铁氧体MN2000制成，截面为12X14，窗口高度为31mm，宽度为9mm。初级绕组有 32 匝 0,3 mm PEV-2 单独导线，次级绕组有 8 匝 0,8 mm PEV-2 单独导线，初级绕组所有导线的总横截面积为 1 mm，次级绕组为 2 mm。

次级也可以以每匝 4 伏的速率缠绕在另一个电压上。输出级的电感由相同的铁氧体制成，并具有 20 匝 PEV-2 1,2 mm。变压器T2的功率为4…10瓦。功率晶体管需要80cmXNUMX面积的散热器²，在输出级的二极管上每个都是相同的。

作者：Rodikov E.Yu。出版：N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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