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超低压 LED 发射器。 无线电电子电气工程百科全书

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LED发射器广泛用作显示元件。 直到最近,无法用低压电源(通常低于 1,6 V)为 LED 供电仍被认为是 LED 的明显缺点。

图 1-4 显示了一系列用于以降压方式为 LED 供电的电路。

第一个电路(图 1)采用了众所周知的加倍电源电压的原理,并结合了感应型电压转换器。

超低压 LED 发射器
图。 1

低频脉冲发生器采用多结构晶体管(KT361和KT315)制成。 发电机负载 - 电话胶囊 TK-67。 发生器的输出电压通过电容器C2提供给LED HL1和锗二极管VD1的连接点。 当电容器C2周期性地交替连接到电源总线和感应式储能装置(电话胶囊)时,电源的电压和C2极板上积累的电压周期性地相加。 因此,当电源电压超过 1V 时,HL0,7 LED 开始发光。

脉冲发生器(图2)是由不同结构的晶体管(KT361和KT315)串联而成,形成一个具有负动态电阻部分的有源元件。 使用电感为260μH的无线电接收器“VEF”的中频电路的线圈作为设备的负载。 该器件通过 HL1 LED 进行正反馈,同时充当电容。

超低压 LED 发射器
图。 2

图 3 所示为基于不同电导率的串联锗晶体管、直接连接和变压器负载的多谐振荡器。 XNUMX.

超低压 LED 发射器
图。 3

LED HL1与变压器的次级绕组串联连接至电源。 使用铁氧体环F1000 K10x6x2,5作为变压器的磁芯。 变压器的初级和次级绕组分别有 20 匝和 40 匝 PEV 0,23 线。

用于低压LED电源的自耦变压器式电压转换器如图4所示。 XNUMX.

超低压 LED 发射器
图。 4

通过选择器件的 RC 元件(可能不存在)、变压器的匝数和匝数比、磁芯类型、锗晶体管的使用,电源电压的下限值可以增加到 100- 250毫伏。

作者:Shustov M.A.

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